Kirjeldus
Meie ettevõte pakubSiC katetöötlemisteenused CVD meetodil grafiidi, keraamika ja muude materjalide pinnal, nii et süsinikku ja räni sisaldavad spetsiaalsed gaasid reageerivad kõrgel temperatuuril, et saada kõrge puhtusastmega SiC molekulid, kaetud materjalide pinnale sadestunud molekulid, mis moodustavadSIC kaitsekiht.
Põhijooned
1. Kõrge temperatuuri oksüdatsioonikindlus:
oksüdatsioonikindlus on ikka väga hea, kui temperatuur on kuni 1600 C.
2. Kõrge puhtusastmega: valmistatud keemilise aurustamise-sadestamise teel kõrgel temperatuuril kloorimise tingimustes.
3. Erosioonikindlus: kõrge kõvadus, kompaktne pind, peened osakesed.
4. Korrosioonikindlus: happe, leelise, soola ja orgaanilised reagendid.
CVD-SIC katte peamised spetsifikatsioonid
| SiC-CVD omadused | ||
| Kristalli struktuur | FCC β faas | |
| Tihedus | g/cm³ | 3.21 |
| Kõvadus | Vickersi kõvadus | 2500 |
| Tera suurus | μm | 2-10 |
| Keemiline puhtus | % | 99.99995 |
| Soojusmahtuvus | J·kg-1 ·K-1 | 640 |
| Sublimatsiooni temperatuur | ℃ | 2700 |
| Üleseksuaalne tugevus | MPa (RT 4-punktiline) | 415 |
| Youngi moodul | Gpa (4pt bend, 1300 ℃) | 430 |
| Soojuspaisumine (CTE) | 10-6K-1 | 4.5 |
| Soojusjuhtivus | (W/mK) | 300 |
