Tantaalkarbiidiga kaetud rõngas

Lühike kirjeldus:

Tantaalkarbiidkate on täiustatud pinnakattetehnoloogia, mis kasutab tantaalkarbiidmaterjali, et moodustada aluspinna pinnale kõva, kulumis- ja korrosioonikindel kaitsekiht.Sellel kattel on suurepärased omadused, mis suurendavad oluliselt materjali kõvadust, vastupidavust kõrgele temperatuurile ja keemilisele vastupidavusele, vähendades samal ajal hõõrdumist ja kulumist.Tantaalkarbiidkatteid kasutatakse laialdaselt erinevates valdkondades, sealhulgas tööstuslikus tootmises, kosmosetööstuses, autotööstuses ja meditsiiniseadmetes, et pikendada materjali eluiga, parandada tootmise efektiivsust ja vähendada hoolduskulusid.Olenemata sellest, kas kaitsevad metallpindu korrosiooni eest või suurendavad mehaaniliste osade kulumis- ja oksüdatsioonikindlust, pakuvad tantaalkarbiidkatted usaldusväärset lahendust mitmesugusteks rakendusteks.

 


Toote üksikasjad

Tootesildid

Semicera pakub spetsiaalseid tantaalkarbiidi (TaC) katteid erinevatele komponentidele ja kandjatele.Semicera juhtiv katmisprotsess võimaldab tantaalkarbiidi (TaC) katetel saavutada kõrge puhtuse, kõrge temperatuuri stabiilsuse ja kõrge keemilise taluvuse, parandades SIC/GAN kristallide ja EPI kihtide tootekvaliteeti (Grafiitkattega TaC sustseptor) ja reaktori võtmekomponentide eluea pikendamine.Tantaalkarbiidi TaC katte kasutamine on servaprobleemi lahendamiseks ja kristallide kasvu kvaliteedi parandamiseks ning Semicera Semicera on läbimurre lahendanud tantaalkarbiidi kattetehnoloogia (CVD), jõudes rahvusvahelisele kõrgtasemele.

 

Pärast aastatepikkust arengut on Semicera alistanud tehnoloogiaCVD TaCteadus- ja arendusosakonna ühiste jõupingutustega.SiC vahvlite kasvuprotsessis on defektid kerged tekkima, kuid pärast kasutamistTaC, on erinevus märkimisväärne.Allpool on võrdlus vahvlitest koos TaC-ga ja ilma, samuti Simicera osade üksikkristallide kasvatamiseks

微信图片_20240227150045

TaC-ga ja ilma

微信图片_20240227150053

Pärast TaC kasutamist (paremal)

Lisaks on Semicera TaC kattetoodete kasutusiga pikem ja vastupidavam kõrgele temperatuurile kui SiC katte oma.Pärast pikka aega laboratoorseid mõõtmisandmeid võib meie TaC töötada pikka aega maksimaalselt 2300 kraadi Celsiuse järgi.Järgmised on mõned meie näidised:

微信截图_20240227145010

(a) SiC monokristalli valuploki kasvatamise seadme skemaatiline diagramm PVT-meetodil (b) Pealmine TaC-ga kaetud seemneklamber (kaasa arvatud ränikarbiidi seeme) (c) TAC-kattega grafiidist juhtrõngas

ZDFVzCFV
Peamine omadus
Semicera Töökoht
Semicera töökoht 2
Seadmete masin
CNN töötlemine, keemiline puhastus, CVD katmine
Meie teenus

  • Eelmine:
  • Järgmine: