-
Ränikarbiidist vahvelpaatide kasutusvõimalused pooljuhtide valdkonnas
Pooljuhtide valdkonnas on materjalide valik seadme jõudluse ja protsesside arendamise seisukohalt kriitilise tähtsusega.Viimastel aastatel on ränikarbiidist vahvlid kui esilekerkiv materjal äratanud laialdast tähelepanu ja näidanud suurt potentsiaali pooljuhtide valdkonnas.Räni...Loe rohkem -
Ränikarbiidkeraamika rakendusväljavaated fotogalvaanilise päikeseenergia valdkonnas
Viimastel aastatel, kui ülemaailmne nõudlus taastuvenergia järele on kasvanud, on fotogalvaaniline päikeseenergia muutunud üha olulisemaks puhta ja säästva energiavalikuna.Fotogalvaanilise tehnoloogia arendamisel on materjaliteadusel ülioluline roll.Nende hulgas ränikarbiidkeraamika,...Loe rohkem -
Tavaliste TaC-ga kaetud grafiitdetailide valmistamismeetod
PART/1CVD (keemiline aurustamise-sadestamine) meetod: temperatuuril 900–2300 ℃, kasutades tantaali- ja süsinikuallikatena TaCl5 ja CnHm, redutseeriva atmosfäärina H2, kandegaasi Ar2, reaktsioonisadestamise kilet.Valmistatud kate on kompaktne, ühtlane ja kõrge puhtusastmega.Siiski on mõned probleemid...Loe rohkem -
TaC-ga kaetud grafiitdetailide pealekandmine
OSA/1 Tiigel, seemnehoidja ja juhtrõngas SiC ja AIN monokristallahjus kasvatati PVT meetodil Nagu on näidatud joonisel 2 [1], kui ränikarbiidi valmistamiseks kasutatakse füüsikalist aurutranspordi meetodit (PVT), on idukristall suhteliselt madala temperatuuriga piirkond, SiC r...Loe rohkem -
Ränikarbiidi struktuur ja kasvutehnoloogia (Ⅱ)
Neljandaks, füüsikalise auruülekande meetod Füüsilise aurutranspordi (PVT) meetod sai alguse aurufaasisublimatsioonitehnoloogiast, mille Lely leiutas 1955. aastal. SiC pulber asetatakse grafiittorusse ja kuumutatakse kõrge temperatuurini, et lagundada ja sublimeerida ränikarbi...Loe rohkem -
Ränikarbiidi struktuur ja kasvutehnoloogia (Ⅰ)
Esiteks, SiC kristalli struktuur ja omadused.SiC on kahekomponentne ühend, mille moodustavad Si-element ja C-element vahekorras 1:1, see tähendab 50% räni (Si) ja 50% süsinikku (C), ning selle põhistruktuuriüksus on SI-C tetraeeder.Ränikarbiidi tetraeedri skemaatiline diagramm...Loe rohkem -
Tantaalkarbiidkatte eelised pooljuhttoodetes
Teaduse ja tehnoloogia pideva arenguga mängivad pooljuhttooted meie elus üha olulisemat rolli.Pooljuhtide tootmisprotsessis on kattetehnoloogia rakendamine muutunud üha olulisemaks.Materjalina lai...Loe rohkem -
Ränikarbiidi pihustid elektrooniliste pooljuhtide tootmises
Ränikarbiidi pihustid mängivad olulist rolli elektrooniliste pooljuhtide valmistamisel.Need on vedelike või gaaside pihustamiseks kasutatavad seadmed, mida kasutatakse sageli pooljuhtide tootmises keemiliseks märgtöötluseks.Sic düüsi eelisteks on kõrge temperatuurikindlus,...Loe rohkem -
Ränikarbiidist kristallpaadi suurepärane jõudlus kõrge temperatuuriga keskkonnas
Ränikarbiidist kristallpaat on suurepäraste omadustega materjal, millel on kõrge temperatuuriga keskkondades erakordne kuumus- ja korrosioonikindlus.See on ühend, mis koosneb süsiniku ja räni elementidest, millel on kõrge kõvadus, kõrge sulamistemperatuur ja suurepärane termiline...Loe rohkem -
Avastage klaassüsi ainulaadseid omadusi ja rakendusi
Süsinik on looduses üks levinumaid elemente, mis hõlmab peaaegu kõigi Maal leiduvate ainete omadusi.Sellel on lai valik omadusi, nagu erinev kõvadus ja pehmus, isolatsiooni-pooljuhi-ülijuhi käitumine, soojusisolatsioon-ülijuhtivus ja li...Loe rohkem -
Semicera tutvustab uuenduslikke grafiittooteid, pakkudes tööstusele silmapaistvaid lahendusi
Semicera, ülemaailmne grafiittoodete tootmise liider, teatas hiljuti uuenduslike toodete turuletoomisest, mis pakub tööstusele erakordseid lahendusi.Selle valdkonna juhtiva ettevõttena on Semicera pühendunud kvaliteetse ja suure jõudlusega grafiidipro...Loe rohkem -
Mis on jõupooljuhid?Selle turu kiire kasvu mõistmine!
Semicera on üks juhtivaid ettevõtteid selles valdkonnas, et pakkuda oma klientidele uuenduslikke lahendusi.Selles artiklis uurime jõupooljuhtide kontseptsiooni ja mõistame, miks see turg kiiresti kasvab.Võimsuspooljuhtimise mõistmine...Loe rohkem