Kõrge temperatuuri ja korrosioonikindel LED ränikarbiidi söövitusalus (ICP söövitusalus)

Lühike kirjeldus:

Semicera Energy Technology Co., Ltd. on juhtiv tarnija, kes on spetsialiseerunud vahvlitele ja täiustatud pooljuhttarvikutele.Oleme pühendunud kvaliteetsete, usaldusväärsete ja uuenduslike toodete pakkumisele pooljuhtide tootmisele,fotogalvaaniline tööstusja muud seotud valdkonnad.

Meie tootesari hõlmab SiC/TaC-ga kaetud grafiittooteid ja keraamilisi tooteid, mis hõlmavad erinevaid materjale, nagu ränikarbiid, räninitriid ja alumiiniumoksiid jne.

Usaldusväärse tarnijana mõistame kulumaterjalide tähtsust tootmisprotsessis ja oleme pühendunud kõrgeimatele kvaliteedistandarditele vastavate toodete tarnimisele, et täita meie klientide vajadusi.

Saatke meile e-kiri

Toote üksikasjad

Tootesildid

Tootekirjeldus

Meie ettevõte pakub CVD-meetodil grafiidi, keraamika ja muude materjalide pinnale ränikarbiidi katmisprotsessi teenuseid, nii et süsinikku ja räni sisaldavad spetsiaalsed gaasid reageerivad kõrgel temperatuuril, et saada kõrge puhtusastmega SiC molekulid, kaetud materjalide pinnale sadestunud molekulid, moodustades SIC kaitsekihi.

Põhijooned:

1. Kõrge temperatuuri oksüdatsioonikindlus:

oksüdatsioonikindlus on ikka väga hea, kui temperatuur on kuni 1600 C.

2. Kõrge puhtusastmega: valmistatud keemilise aurustamise teel kõrgel temperatuuril kloorimise tingimustes.

3. Erosioonikindlus: kõrge kõvadus, kompaktne pind, peened osakesed.

4. Korrosioonikindlus: happe, leelise, soola ja orgaanilised reagendid.

1111111斯蒂芬森

11111111111111111

CVD-SIC katte peamised spetsifikatsioonid

SiC-CVD omadused
Kristalli struktuur	FCC β faas
Tihedus	g/cm³	3.21
Kõvadus	Vickersi kõvadus	2500
Tera suurus	μm	2-10
Keemiline puhtus	%	99.99995
Soojusmahtuvus	J·kg-1 ·K-1	640
Sublimatsiooni temperatuur	℃	2700
Üleseksuaalne tugevus	MPa (RT 4-punktiline)	415
Youngi moodul	Gpa (4pt bend, 1300 ℃)	430
Soojuspaisumine (CTE)	10-6K-1	4.5
Soojusjuhtivus	(W/mK)	300