Meie ettevõte pakubSiC katetöötlemisteenused grafiidi, keraamika ja muude materjalide pinnal CVD-meetodil, et süsinikku ja räni sisaldavad spetsiaalsed gaasid saaksid kõrgel temperatuuril reageerida, et saada kõrge puhtusastmega Sici molekule, mida saab sadestada kaetud materjalide pinnale, moodustadesSiC kaitsekihtepitaxy barrel tüüpi hü pnotic jaoks.
Peamised omadused:
1. Kõrge puhtusastmega SiC kaetud grafiit
2. Superior kuumakindlus ja termiline ühtlus
3. HästiSiC kristallkattegasileda pinna jaoks
4. Kõrge vastupidavus keemilise puhastuse vastu
Peamised spetsifikatsioonidCVD-SIC kate
| SiC-CVD omadused | ||
| Kristalli struktuur | FCC β faas | |
| Tihedus | g/cm³ | 3.21 |
| Kõvadus | Vickersi kõvadus | 2500 |
| Tera suurus | μm | 2-10 |
| Keemiline puhtus | % | 99.99995 |
| Soojusvõimsus | J·kg-1 ·K-1 | 640 |
| Sublimatsiooni temperatuur | ℃ | 2700 |
| Üleseksuaalne tugevus | MPa (RT 4-punktiline) | 415 |
| Youngi moodul | Gpa (4pt bend, 1300 ℃) | 430 |
| Soojuspaisumine (CTE) | 10-6K-1 | 4.5 |
| Soojusjuhtivus | (W/mK) | 300 |
