Semicera pakub erinevatele komponentidele ja kandjatele spetsiaalseid tantaalkarbiidi (TaC) katteid.Semicera juhtiv katmisprotsess võimaldab tantaalkarbiidi (TaC) katetel saavutada kõrge puhtuse, kõrge temperatuuri stabiilsuse ja kõrge keemilise taluvuse, parandades SIC/GAN kristallide ja EPI kihtide tootekvaliteeti (Grafiitkattega TaC sustseptor) ja reaktori põhikomponentide eluea pikendamine. Tantaalkarbiidi TaC katte kasutamine on servaprobleemi lahendamiseks ja kristallide kasvu kvaliteedi parandamiseks ning Semicera on läbimurre lahendanud tantaalkarbiidi kattetehnoloogia (CVD), jõudes rahvusvahelisele kõrgtasemele.
Pärast aastatepikkust arengut on Semicera alistanud tehnoloogiaCVD TaCteadus- ja arendusosakonna ühiste jõupingutustega. SiC vahvlite kasvuprotsessis on defektid kerged tekkima, kuid pärast kasutamistTaC, on erinevus märkimisväärne. Allpool on võrdlus vahvlitest koos TaC-ga ja ilma, samuti Semicera osade üksikkristallide kasvatamiseks
TaC-ga ja ilma
Pärast TaC kasutamist (paremal)
Lisaks on Semicera TaC kattetoodete kasutusiga pikem ja vastupidavam kõrgele temperatuurile kui SiC katte oma. Pärast pikka aega laboratoorseid mõõtmisandmeid võib meie TaC töötada pikka aega maksimaalselt 2300 kraadi Celsiuse järgi. Järgmised on mõned meie näidised:
(a) SiC monokristalli valuploki kasvatamise seadme skemaatiline diagramm PVT-meetodil (b) Pealmine TaC-ga kaetud seemneklamber (kaasa arvatud ränikarbiidi seeme) (c) TAC-kattega grafiidist juhtrõngas
