TaC kaetudsügav ultraviolett-LED-grafiitalus viitab seadme jõudluse ja stabiilsuse parandamise protsessile, asetades aTaC kategrafiitalusel sügava ultraviolett-LED seadme valmistamise ajal. See kate võib parandada seadme soojuse hajumist, vastupidavust kõrgele temperatuurile ja oksüdatsioonikindlust, parandades seeläbi LED-seadme tõhusust ja töökindlust. Deep ultraviolett LED-seadmeid kasutatakse tavaliselt mõnes erivaldkonnas, nagu desinfitseerimine, valguskõvastumine jne, millel on kõrged nõuded seadme stabiilsusele ja jõudlusele. TaotlusTaC-ga kaetud grafiitalus võib tõhusalt suurendada seadme vastupidavust ja jõudlust, pakkudes olulist tuge sügava ultraviolett-LED-tehnoloogia arendamisel.
Semicera pakub erinevatele komponentidele ja kandjatele spetsiaalseid tantaalkarbiidi (TaC) katteid.Semicera juhtiv katmisprotsess võimaldab tantaalkarbiidi (TaC) katetel saavutada kõrge puhtuse, kõrge temperatuuri stabiilsuse ja kõrge keemilise taluvuse, parandades SIC/GAN kristallide ja EPI kihtide tootekvaliteeti (Grafiitkattega TaC sustseptor) ja reaktori põhikomponentide eluea pikendamine. Tantaalkarbiidi TaC katte kasutamine on servaprobleemi lahendamiseks ja kristallide kasvu kvaliteedi parandamiseks ning Semicera on läbimurre lahendanud tantaalkarbiidi kattetehnoloogia (CVD), jõudes rahvusvahelisele kõrgtasemele.
Pärast aastatepikkust arengut on Semicera alistanud tehnoloogiaCVD TaCteadus- ja arendusosakonna ühiste jõupingutustega. SiC vahvlite kasvuprotsessis on defektid kerged tekkima, kuid pärast kasutamistTaC, on erinevus märkimisväärne. Allpool on võrdlus vahvlitest koos TaC-ga ja ilma, samuti Simicera osade üksikkristallide kasvatamiseks.
TaC-ga ja ilma
Pärast TaC kasutamist (paremal)
Pealegi Semicera omaTaC-kattega tootedneil on pikem kasutusiga ja suurem vastupidavus kõrgele temperatuurile võrreldesSiC katted.Laboratoorsed mõõtmised on näidanud, et meieTaC kattedsuudab pidevalt töötada temperatuuril kuni 2300 kraadi Celsiuse järgi pikema aja jooksul. Allpool on mõned näited meie näidistest:
