Ränikarbiidkattega grafiidisusceptor tünnialus

Lühikirjeldus:

Semicera pakub laia valikut sustseptoreid ja grafiitkomponente, mis on mõeldud erinevatele epitaksireaktoritele.

Tänu strateegilistele partnerlustele tööstusharu juhtivate originaalseadmete tootjatega, ulatusliku materjaliteadmiste ja täiustatud tootmisvõimaluste kaudu pakub Semicera kohandatud disainilahendusi, mis vastavad teie rakenduse spetsiifilistele nõuetele. Meie pühendumus tipptasemele tagab, et saate optimaalsed lahendused oma epitaksireaktori vajadustele.

 

 


Toote üksikasjad

Tootesildid

Kirjeldus

Meie ettevõte pakub CVD-meetodil grafiidi, keraamika ja muude materjalide pinnale ränikarbiidi katmise protsessiteenuseid, nii et süsinikku ja räni sisaldavad spetsiaalsed gaasid reageerivad kõrgel temperatuuril, et saada kõrge puhtusastmega SiC molekulid, kaetud materjalide pinnale sadestunud molekulid, moodustades SIC kaitsekihi.

umbes (1)

umbes (2)

Peamised omadused

1. Kõrge puhtusastmega SiC kaetud grafiit

2. Superior kuumakindlus ja termiline ühtlus

3. Peen SiC kristallkattega sileda pinna saamiseks

4. Kõrge vastupidavus keemilise puhastuse vastu

CVD-SIC katte peamised spetsifikatsioonid

SiC-CVD omadused
Kristalli struktuur FCC β faas
Tihedus g/cm³ 3.21
Kõvadus Vickersi kõvadus 2500
Tera suurus μm 2-10
Keemiline puhtus % 99.99995
Soojusvõimsus J·kg-1 ·K-1 640
Sublimatsiooni temperatuur 2700
Üleseksuaalne tugevus MPa (RT 4-punktiline) 415
Youngi moodul Gpa (4pt bend, 1300 ℃) 430
Soojuspaisumine (CTE) 10-6K-1 4.5
Soojusjuhtivus (W/mK) 300
图片 3
图片 1
图片 2
图片 4
图片 5
Semicera Töökoht
Semicera töökoht 2
Seadmete masin
CNN töötlemine, keemiline puhastus, CVD katmine
Meie teenus

  • Eelmine:
  • Järgmine: