CVD hulgi ränikarbiid (SiC)
Ülevaade:CVDlahtiselt ränikarbiid (SiC)on väga nõutud materjal plasmasöövitusseadmetes, kiirtermilise töötlemise (RTP) rakendustes ja muudes pooljuhtide tootmisprotsessides. Selle erakordsed mehaanilised, keemilised ja termilised omadused muudavad selle ideaalseks materjaliks kõrgtehnoloogiliste rakenduste jaoks, mis nõuavad suurt täpsust ja vastupidavust.
CVD Bulk SiC rakendused:Puisteline ränidioksiid on pooljuhtide tööstuses ülioluline, eriti plasmasöövitussüsteemides, kus sellised komponendid nagu fookusrõngad, gaasidušipead, servarõngad ja plaadid saavad kasu ränikarbiidi silmapaistvast korrosioonikindlusest ja soojusjuhtivusest. Selle kasutusala ulatubRTPsüsteemid tänu SiC võimele taluda kiireid temperatuurikõikumisi ilma olulise lagunemiseta.
Lisaks söövitusseadmetele CVDlahtiselt SiCon eelistatud difusioonahjudes ja kristallide kasvatamise protsessides, kus on vajalik kõrge termiline stabiilsus ja vastupidavus karmidele keemilisele keskkonnale. Need omadused teevad ränikarbiidist valitud materjali suure nõudlusega rakenduste jaoks, mis hõlmavad kõrgeid temperatuure ja söövitavaid gaase, nagu kloori ja fluori sisaldavad gaasid.
CVD hulgi SiC komponentide eelised:
•Kõrge tihedus:Tihedusega 3,2 g/cm³,CVD puiste SiCkomponendid on väga vastupidavad kulumisele ja mehaanilistele mõjudele.
•Suurepärane soojusjuhtivus:Pakkudes soojusjuhtivust 300 W/m·K, haldab mass SiC tõhusalt soojust, muutes selle ideaalseks komponentidele, mis puutuvad kokku äärmuslike termiliste tsüklitega.
•Erakordne keemiline vastupidavus:SiC madal reaktsioonivõime söövitusgaasidega, sealhulgas kloori- ja fluoripõhiste kemikaalidega, tagab komponentide pikema eluea.
•Reguleeritav takistus: CVD hulgi SiC-dtakistust saab kohandada vahemikus 10⁻²–10⁴ Ω-cm, muutes selle kohandatavaks konkreetsete söövitamise ja pooljuhtide tootmise vajadustega.
•Soojuspaisumise koefitsient:Soojuspaisumise koefitsiendiga 4,8 x 10⁻⁶/°C (25–1000°C) on CVD puiste SiC vastupidav termilisele šokile, säilitades mõõtmete stabiilsuse isegi kiirete kuumutamis- ja jahutustsüklite ajal.
•Vastupidavus plasmas:Kokkupuude plasma ja reaktiivsete gaasidega on pooljuhtprotsessides vältimatu, kuidCVD puiste SiCpakub suurepärast vastupidavust korrosioonile ja lagunemisele, vähendades asendussagedust ja üldisi hoolduskulusid.
Tehnilised andmed:
•Läbimõõt:Suurem kui 305 mm
•Takistus:Reguleeritav vahemikus 10⁻²–10⁴ Ω-cm
•Tihedus:3,2 g/cm³
•Soojusjuhtivus:300 W/m·K
•Soojuspaisumise koefitsient:4,8 x 10⁻⁶/°C (25–1000°C)
Kohandamine ja paindlikkus:KellSemicera pooljuht, mõistame, et iga pooljuhtide rakendus võib nõuda erinevaid spetsifikatsioone. Seetõttu on meie CVD hulgi SiC komponendid täielikult kohandatavad, reguleeritava takistuse ja kohandatud mõõtmetega, mis vastavad teie seadme vajadustele. Ükskõik, kas optimeerite oma plasmasöövitussüsteeme või otsite vastupidavaid komponente RTP- või difusiooniprotsessides, meie CVD hulgi SiC tagab võrratu jõudluse.
