Pooljuhtränikarbiidi (SiC) vahvlid, on see uus materjal viimastel aastatel järk-järgult esile kerkinud, oma ainulaadsete füüsikaliste ja keemiliste omadustega, andnud pooljuhtide tööstusele uut elujõudu.SiC vahvlid, mis kasutavad toorainena monokristalle, on hoolikalt kasvatatud keemilise aurustamise-sadestamise (CVD) meetodil ning nende välimus annab võimalused kõrgtemperatuuriliste, kõrgsageduslike ja suure võimsusega elektroonikaseadmete valmistamiseks.
Jõuelektroonika valdkonnasSiC vahvlidkasutatakse suure tõhususega toitemuundurite, laadijate, toiteallikate ja muude toodete valmistamisel. Sidevaldkonnas kasutatakse seda kõrgsageduslike ja kiirete RF-seadmete ning optoelektrooniliste seadmete tootmiseks, pannes tugeva nurgakivi infoajastu kiirteele. Autoelektroonika valdkonnasSiC vahvlidluua kõrgepinge ja väga töökindlaid autode elektroonikaseadmeid, et eskortida juhi sõiduohutust.
Tehnoloogia pideva arenguga on tootmistehnoloogiaSiC vahvlidmuutub üha küpsemaks ja hind langeb järk-järgult. Sellel uuel materjalil on suur potentsiaal seadme jõudluse parandamisel, energiatarbimise vähendamisel ja toodete konkurentsivõime suurendamisel. Vaadates ette,SiC vahvlidmängib pooljuhtide tööstuses olulisemat rolli, tuues meie ellu rohkem mugavust ja turvalisust.
Ootame põnevusega seda heledat pooljuhttähte – ränikarbiidiplaati, et teaduse ja tehnoloogia arengu tulevik kirjeldaks veelgi säravamat peatükki.
Postitusaeg: 27.11.2023