Praegu hõlmavad ränikarbiidi katmise valmistamismeetodid peamiselt geel-sool meetodit, manustamismeetodit, pintsliga katmise meetodit, plasmapihustusmeetodit, keemilise gaasi reaktsiooni meetodit (CVR) ja keemilist aurustamise meetodit (CVD).
Manustamise meetod:
Meetod on omamoodi kõrge temperatuuriga tahkefaasiline paagutamine, mis kasutab peamiselt Si pulbri ja C pulbri segu sisestuspulbrina, grafiitmaatriks asetatakse sisestuspulbrisse ja kõrge temperatuuriga paagutamine toimub inertgaasis. , ja lõpuks saadakse grafiitmaatriksi pinnale SiC kate.Protsess on lihtne ning katte ja aluspinna kombinatsioon on hea, kuid katte ühtlus paksuse suunas on halb, mistõttu on lihtne tekitada rohkem auke ja põhjustada halba oksüdatsioonikindlust.
Pintsliga katmise meetod:
Pintsliga katmise meetod seisneb peamiselt vedela tooraine pintseldamises grafiitmaatriksi pinnal ja seejärel katte ettevalmistamiseks toormaterjali kuivatamiseks teatud temperatuuril.Protsess on lihtne ja maksumus madal, kuid pintsliga katmise meetodil valmistatud kate on koos aluspinnaga nõrk, katte ühtlus on halb, kattekiht on õhuke ja oksüdatsioonikindlus madal ning abistamiseks on vaja muid meetodeid. seda.
Plasma pihustamise meetod:
Plasma pihustamise meetod seisneb peamiselt sulatatud või poolsulanud toorainete pihustamises plasmapüstoliga grafiitmaatriksi pinnale ning seejärel tahkestamiseks ja sidumiseks, et moodustada kattekiht.Meetodit on lihtne kasutada ja sellega saab valmistada suhteliselt tiheda ränikarbiidkatte, kuid selle meetodiga valmistatud ränikarbiidkate on sageli liiga nõrk ja põhjustab nõrka oksüdatsioonikindlust, seetõttu kasutatakse seda tavaliselt ränikarbiidi komposiitkatte valmistamiseks, et parandada. katte kvaliteet.
Geel-sool meetod:
Geel-sool meetod seisneb peamiselt ühtlase ja läbipaistva maatriksi pinda katva soolilahuse valmistamises, kuivatades geeliks ja seejärel paagutades katte saamiseks.Seda meetodit on lihtne kasutada ja see on odav, kuid toodetud kattel on mõned puudused, nagu madal termilise šoki vastupidavus ja kerge pragunemine, mistõttu seda ei saa laialdaselt kasutada.
Keemiline gaasireaktsioon (CVR):
CVR genereerib peamiselt SiC-katte, kasutades Si ja SiO2 pulbrit, et tekitada kõrgel temperatuuril SiO auru, ja C-materjali substraadi pinnal toimub rida keemilisi reaktsioone.Selle meetodiga valmistatud SiC kate on tihedalt substraadiga seotud, kuid reaktsioonitemperatuur on kõrgem ja maksumus kõrgem.
Keemiline aurustamine-sadestamine (CVD):
Praegu on CVD põhitehnoloogia põhipinnale SiC katte valmistamisel.Põhiprotsess on gaasifaasis reaktiivse materjali füüsikaliste ja keemiliste reaktsioonide jada substraadi pinnal ja lõpuks valmistatakse SiC kate substraadi pinnale sadestamisel.CVD-tehnoloogia abil valmistatud SiC-kate on tihedalt seotud substraadi pinnaga, mis võib tõhusalt parandada substraadi materjali oksüdatsioonikindlust ja ablatiivset vastupidavust, kuid selle meetodi sadestusaeg on pikem ja reaktsioonigaasil on teatav mürgisus. gaas.
Postitusaeg: nov-06-2023