Pika kasutuseaga SiC-kattega grafiidikandur päikesepaneelide jaoks

Pika kasutuseaga ränidioksiidiga kaetud grafiidikandur päikeseplaatide jaoks. Esiletõstetud kujutis

Lühikirjeldus:

Ränikarbiid on uut tüüpi keraamika, millel on kõrge kulukulu ja suurepärased materjaliomadused. Tänu sellistele omadustele nagu kõrge tugevus ja kõvadus, kõrge temperatuuritaluvus, suurepärane soojusjuhtivus ja keemiline korrosioonikindlus talub ränikarbiid peaaegu kõiki keemilisi keskkondi. Seetõttu kasutatakse ränidioksiidi laialdaselt nafta kaevandamisel, keemiatööstuses, masinate ja õhuruumis, isegi tuumaenergial ja sõjaväel on SIC suhtes oma erinõuded. Mõned tavalised rakendused, mida saame pakkuda, on pumba, ventiili ja kaitserüü jms tihendusrõngad.

Saatke meile e-kiri

Toote üksikasjad

Tootesildid

Eelised

Kõrge temperatuuri oksüdatsioonikindlus
Suurepärane korrosioonikindlus
Hea kulumiskindlus
Kõrge soojusjuhtivuse koefitsient
Isemääre, madal tihedus
Kõrge kõvadus
Kohandatud disain.

Rakendused

- Kulumiskindel väli: puks, plaat, liivapritsi otsik, tsüklonvooder, lihvimistinn jne ...
-Kõrgtemperatuuriline väli: siC plaat, karastusahju toru, kiirgustoru, tiigel, kütteelement, rull, tala, soojusvaheti, külma õhu toru, põleti otsik, termopaari kaitsetoru, ränikarbiidi paat, ahju auto konstruktsioon, setter jne.
-Ränikarbiidi pooljuht: SiC vahvlipaat, sic padrun, sic laba, sic kassett, sic difusioonitoru, vahvli kahvel, imemisplaat, juhik jne.
-Ränikarbiidi tihendi väli: igasugused tihendusrõngad, laagrid, puksid jne.
-Fotogalvaaniline väli: konsoollaba, lihvimistinn, ränikarbiidi rull jne.
- Liitiumaku väli

VAHVEL (1)

VAHVEL (2)

SiC füüsikalised omadused

Kinnisvara	Väärtus	meetod
Tihedus	3,21 g/cc	Valamu-ujuk ja mõõde
Erisoojus	0,66 J/g °K	Impulss-laservälk
Paindetugevus	450 MPa560 MPa	4-punktiline kurv, RT4-punktiline painutus, 1300°
Murde sitkus	2,94 MPa m1/2	Mikrosisenemine
Kõvadus	2800	Vickeri, 500g koorem
Elastic ModulusYoungi moodul	450 GPa430 GPa	4 pt painutus, RT4 pt painutus, 1300 °C
Tera suurus	2–10 µm	SEM

SiC termilised omadused

Soojusjuhtivus	250 W/m °K	Laservälk meetod, RT
Soojuspaisumine (CTE)	4,5 x 10-6 °K	Toatemperatuur kuni 950 °C, silikageeli dilatomeeter

Tehnilised parameetrid

Üksus	Üksus	Andmed
Üksus	Üksus	RBSiC (SiSiC)	NBSiC	SSiC	RSiC	OSiC
SiC sisu	%	85	75	99	99,9	≥99
Tasuta räni sisaldus	%	15	0	0	0	0
Max töötemperatuur	℃	1380	1450	1650	1620	1400
Tihedus	g/cm³	3.02	2,75-2,85	3.08-3.16	2,65-2,75	2,75-2,85
Avatud poorsus	%	0	13-15	0	15-18	7-8
Paindetugevus 20 ℃	Мpa	250	160	380	100	/
Paindetugevus 1200 ℃	Мpa	280	180	400	120	/
Elastsusmoodul 20℃	Gpa	330	580	420	240	/
Elastsusmoodul 1200℃	Gpa	300	/	/	200	/
Soojusjuhtivus 1200℃	W/mK	45	19.6	100-120	36.6	/
Soojuspaisumise koefitsient	K^-1X10^-6	4.5	4.7	4.1	4.69	/
HV	Kg/m^m2	2115	/	2800	/	/

Ümberkristalliseeritud ränikarbiidist keraamiliste toodete välispinnal olev CVD ränikarbiidi kate võib saavutada pooljuhtide tööstuse klientide vajaduste rahuldamiseks üle 99,9999% puhtuse.