Semicera kõrge puhtusastmega CVD SiC tooraine on täiustatud materjal, mis on loodud kasutamiseks suure jõudlusega rakendustes, mis nõuavad erakordset termilist stabiilsust, kõvadust ja elektrilisi omadusi. Kvaliteetsest keemilisest aurustamise-sadestamise (CVD) ränikarbiidist valmistatud tooraine tagab suurepärase puhtuse ja konsistentsi, muutes selle ideaalseks pooljuhtide tootmiseks, kõrgtemperatuurilisteks kateteks ja muudeks täppistööstuslikeks rakendusteks.
Semicera kõrge puhtusastmega CVD SiC tooraine on tuntud oma suurepärase kulumis-, oksüdatsiooni- ja termilise šoki vastupidavuse poolest, tagades usaldusväärse jõudluse ka kõige nõudlikumates keskkondades. Olenemata sellest, kas seda kasutatakse pooljuhtseadmete, abrasiivsete tööriistade või täiustatud pinnakatete tootmisel, loob see materjal tugeva aluse suure jõudlusega rakendustele, mis nõuavad kõrgeimaid puhtuse ja täpsuse standardeid.
Semicera kõrge puhtusastmega CVD SiC toorainega saavad tootjad saavutada parima tootekvaliteedi ja töötõhususe. See materjal toetab mitmesuguseid tööstusharusid elektroonikast energeetikani, pakkudes ületamatut vastupidavust ja jõudlust.
Semicera kõrge puhtusastmega CVD ränikarbiidi toorainel on järgmised omadused:
▪Kõrge puhtusastmega:äärmiselt madal lisandite sisaldus, tagades seadme töökindluse.
▪Kõrge kristallilisus:täiuslik kristallstruktuur, mis aitab parandada seadme jõudlust.
▪Madal defektide tihedus:väike arv defekte, vähendades seadme lekkevoolu.
▪Suur suurus:Erinevate klientide vajaduste rahuldamiseks saab pakkuda suuri ränikarbiidi substraate.
▪Kohandatud teenus:erinevat tüüpi ränikarbiidmaterjale ja spetsifikatsioone saab kohandada vastavalt kliendi vajadustele.
Toote eelised
▪ Lai ribavahemik:Ränikarbiidil on lai ribalaius, mis võimaldab sellel suurepäraselt töötada karmides keskkondades, nagu kõrge temperatuur, kõrge rõhk ja kõrge sagedus.
▪Kõrge läbilöögipinge:Ränikarbiidi seadmetel on suurem läbilöögipinge ja need võivad toota suurema võimsusega seadmeid.
▪Kõrge soojusjuhtivus:Ränikarbiidil on suurepärane soojusjuhtivus, mis soodustab seadme soojuse hajumist.
▪Suur elektronide liikuvus:Ränikarbiidist seadmetel on suurem elektronide liikuvus, mis võib tõsta seadme töösagedust.
