Antioksüdatsioonivastane kõrge puhtusastmega SiC kaetud MOCVD kandik

Antioksüdatsioonivastane kõrge puhtusastmega SiC-kattega MOCVD-alus Esiletõstetud pilt

Lühikirjeldus:

Semicera Energy Technology Co., Ltd. on juhtiv tarnija, kes on spetsialiseerunud vahvlitele ja täiustatud pooljuhttarvikutele.Oleme pühendunud kvaliteetsete, usaldusväärsete ja uuenduslike toodete pakkumisele pooljuhtide tootmisele,fotogalvaaniline tööstusja muud seotud valdkonnad.

Meie tootesari hõlmab SiC/TaC-ga kaetud grafiittooteid ja keraamilisi tooteid, mis hõlmavad erinevaid materjale, nagu ränikarbiid, räninitriid ja alumiiniumoksiid jne.

Usaldusväärse tarnijana mõistame kulumaterjalide tähtsust tootmisprotsessis ja oleme pühendunud kõrgeimatele kvaliteedistandarditele vastavate toodete tarnimisele, et täita meie klientide vajadusi.

Saatke meile e-kiri

Toote üksikasjad

Tootesildid

Kirjeldus

Meie ettevõte pakubSiC katetöötlemisteenused CVD meetodil grafiidi, keraamika ja muude materjalide pinnal, nii et süsinikku ja räni sisaldavad spetsiaalsed gaasid reageerivad kõrgel temperatuuril, et saada kõrge puhtusastmega SiC molekulid, kaetud materjalide pinnale sadestuvad molekulid, mis moodustavadSiC kaitsekiht.

Peamised omadused

1. Kõrge temperatuuri oksüdatsioonikindlus:
oksüdatsioonikindlus on ikka väga hea, kui temperatuur on kuni 1600 C.
2. Kõrge puhtusastmega: valmistatud keemilise aurustamise-sadestamise teel kõrgel temperatuuril kloorimise tingimustes.
3. Erosioonikindlus: kõrge kõvadus, kompaktne pind, peened osakesed.
4. Korrosioonikindlus: happe, leelise, soola ja orgaanilised reagendid.

CVD-SIC katte peamised spetsifikatsioonid

SiC-CVD omadused
Kristalli struktuur	FCC β faas
Tihedus	g/cm³	3.21
Kõvadus	Vickersi kõvadus	2500
Tera suurus	μm	2-10
Keemiline puhtus	%	99.99995
Soojusvõimsus	J·kg-1 ·K-1	640
Sublimatsiooni temperatuur	℃	2700
Üleseksuaalne tugevus	MPa (RT 4-punktiline)	415
Youngi moodul	Gpa (4pt bend, 1300 ℃)	430
Soojuspaisumine (CTE)	10-6K-1	4.5
Soojusjuhtivus	(W/mK)	300