-
SiC-kattega grafiidisustseptorite otsustav roll ja kasutusjuhud pooljuhtide tootmises
Semicera Semiconductor plaanib suurendada pooljuhtide tootmisseadmete põhikomponentide tootmist kogu maailmas. Aastaks 2027 on meie eesmärk rajada uus 20 000 ruutmeetri suurune tehas, mille koguinvesteering on 70 miljonit USD. Üks meie põhikomponente, ränikarbiidi (SiC) vahvli kandja...Loe edasi -
Ideaalne materjal plasmasöövitusseadmete fookusrõngaste jaoks: ränikarbiid (SiC)
Plasma söövitusseadmetes mängivad keraamilised komponendid, sealhulgas teravustamisrõngas, otsustavat rolli. Fookusrõngas, mis asetatakse ümber vahvli ja on sellega otseses kontaktis, on oluline plasma fokuseerimiseks vahvlile, rakendades rõngale pinget. See suurendab un...Loe edasi -
Kui klaassüsinik kohtub uuendustega: Semicera juhib klaassüsinikkatte tehnoloogia revolutsiooni
Klaasjas süsinik, tuntud ka kui klaassüsinik või klaasjas süsinik, ühendab klaasi ja keraamika omadused mittegrafiitseks süsinikmaterjaliks. Täiustatud klaasjas süsinikmaterjalide väljatöötamisel esirinnas olevate ettevõtete hulgas on Semicera, juhtiv süsinikupõhistele materjalidele spetsialiseerunud tootja.Loe edasi -
Läbimurre ränikarbiidi epitaksitehnoloogias: teejuht räni/karbiidi epitaksiaalreaktorite tootmises Hiinas
Meil on hea meel teatada murrangulisest saavutusest meie ettevõtte teadmistes ränikarbiidi epitaksitehnoloogia vallas. Meie tehas on uhke, et on üks Hiina juhtivaid tootjaid, kes on võimeline tootma räni/karbiidi epitaksiaalreaktoreid. Meie pühendumusega erakordsele kvaliteedile...Loe edasi -
Uus läbimurre: meie ettevõte vallutab tantaalkarbiidkatte tehnoloogia, et pikendada komponentide eluiga ja parandada saagikust
Zhejiang, 20.10.2023 – Olulise sammuna tehnoloogilise arengu suunas teatab meie ettevõte uhkusega tantaalkarbiidi (TaC) katmistehnoloogia edukast arendamisest. See läbimurdeline saavutus tõotab muuta tööstust märkimisväärselt ...Loe edasi